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【恒顺达化工】最新工业盐生产方法的改进
作者:管理员    发布于:2018-03-24 08:15:51    文字:【】【】【
摘要:太原市迎泽区恒顺达化工产品经销部,成立于2009年,厂家直销:钻井助剂,水处理药剂,涂料原料,造纸原料,混凝土外加剂,玻璃水防冻液原料,洗涤日化原料,化学试剂,锅炉清洗,防腐原料,反渗透系列,煤矿焦化系列,车用尿素,氨基磺酸,柠檬酸,除垢剂,除锈剂,聚丙烯酰胺,聚氯化铝,聚丙烯纤维,膨润土,六偏磷酸钠,三聚磷酸钠,磷酸三钠,三乙醇胺,乙二醇,甘油,硫酸铝,硫酸锌,硫酸铜,氯化镁,氯化钙,水玻璃,融雪剂,工业盐,防冻剂,抑尘剂,阻化剂,防腐剂,消泡剂,钠石灰,变色硅胶,干燥剂,防雷降阻剂,十二烷基硫酸钠。质量高价格低
【太原恒顺达化工】工业盐生产方法的改进

一种由含有机污染物的盐水制取改进质量的工业氯化钠的方法。其特征在于在光存在下面盐水中加入次氯酸盐(OCl
本发明涉及到一种用于日光蒸发天然盐水生产工业盐(氯化钠)的盐水粘度的降低方法,以及有效地改变能反映盐质量改进的晶体形态的方法。

所谓盐生产中藻类的破坏作用一般是由于大量的有机物,特别是多糖的存在而引起的。这一问题是世界范围内一些盐场一再出现的操作问题。究其原因,则归结于天然盐湖及为贮藏海洋或其它来源地的天然盐水的人工池中藻类的大量繁殖。各种各样的藻类,主要是绿藻和兰-绿藻都与此问题有牵连。例如生长在Dampier日光蒸发池中的适盐细菌兰-绿藻能产生大量细胞外粘液。这些有机物控制了盐水池水中柔软的含硫泥底的表面层。在藻类生长高峰期间,底板材料溶解进盐水的复盖层,达到如此程度以致使盐水的粘度明显地增加。因此蒸发过程减慢了。

过量多糖的存在导致了:(a)、由于所谓的“漏斗形生长物”使夹带的硫酸钙增加,从而使盐的质量变次;

(b)、滞留过量的盐水;

(c)、由于结晶池中缺乏自然完整性或盐层脆薄而难以收获;

(d)、由于产生的盐过分细碎而使损失增加。

夹带盐水量的提高还意味着产品盐中镁含量不必要地增加。

关于晶体生长的机理以及杂质对晶体形态的影响,尤其是漏斗形生长的机理是人们还没有完全弄明白的问题。但是可以确信的是在盐的生长过程中,多糖分子是被吸附于特殊的晶面生长点上,改变了该处的能量条件,从而干扰了正常晶体形态的形成。结果是晶体优先生长在立方体的棱和角上,即分别为(110)、(111)晶面。

由藻类的破坏作用而引起的粘度增加还导致了结晶池中产生大量池边壳盐,也就是最终在盐水表面围绕着结晶池周边形成盐堆。

至今所知,还没有找到切实可行的解决方法来有效地除去多糖。不管是全部还是部分,一般人们所做的是耗时于重建已损坏的盐场,例如排水/冲洗,然后重新注满盐水。

过去曾有人建议通过使盐湖氯化来杀死藻类,这样即使使用生长着茂盛藻类的盐湖水来生产盐,也无须进行脱色和脱嗅。Seshadri和Buch发现对Sambhar盐湖水或卤水氯化到每升含有效氯0.5克(即500ppm)时,就能有效地漂白消灭藻类,并且还能防止藻类的进一步生长。次氯酸钠、氯气或漂白粉都可以使用,然后通过过滤或凝聚如用粘土将藻类除去。他们没有提及此法对晶体质量的影响。(Seshadi,K,和Huch,S.D.(1958);J.Sci.Industr.Res.17A.455-457)。

AL-Deen同样描述了用12ppm的次氯酸钠进行氯化处理来消灭委内瑞拉Araya盐场盐池中生长的藻类。在与天然湖同一部位作一比较后,有人提出Araya人工湖中的盐晶体呈漏斗形生长是由于藻类污染产生的。但对于该情况下的氯化作用是否能防止异常晶体的形成没有说明(Al-Deen,B.B.和Al-Deen,A.H.B,(1972)Bol.Inst.Oceanogr.Univ.Oriente    11  35-38)。

在特定情况下,要想把问题从理想上完全弄明白就必须持别明确地检验出成为起因的有机物和所产生的实际有机化合物。如果要避免重要中断,这需要相当长的时间而且也不实际。本发明的目的正是在于提供一个解决这些问题的方案。

现在我们已发现,盐水粘度的降低能引起盐晶体质量的改进。

本发明大致包括向处理的盐水中加入数量精确可控的氯。氯可以是OCl-或Cl2。

必须有氯外加光,最好是日光。

日光(直射或漫射)或人工光是有效的,而兰光到低波长的紫外线光则更有效。最好的波长是在320~500nm的光。

本发明的工艺能使PH值略微降低或完全不使PH值降低。

氯化处理可以在日光或人工光下进行,该过程就是通常人们所知的光氯化作用。可以采用的方法是向装有盐水的结晶池中加入次氯酸钠或者喷入氯气或者操作电解槽次氯酸盐发生器。用氯气要比用次氯酸钠便宜得多。然而由于氯气净化处理盐水的时间相当短,所以耗费于大规模次氯酸盐发生器是无理由的。“%海水当量”粘度(%SWE)是指定密度的盐水粘度与浓缩至同样密度的海水粘度之比,以百分比表示。粘度的不同是由于盐水溶解的有机污染所致。

已经发现氯具有下列有益的作用:分别加入50、75及100PPm的氯能将110%海水当量(SWE)粘度的盐水降低到分别为100%、98.5%和97.5%的粘度(SWE);

加进氯,可增加盐水在浓缩/结晶过程中粘度的降低比率,例如加入50、75和100PPm氯的盐水分别为109、107和105.5%SWE粘度,而没加氯的则为130%。

降低漂移盐,盐水表面盐及四周盐滩(堆)的形成的趋势在于低速搅拌条件和增加这种盐下沉的倾向;

降低起泡趋势在于氯含量增加时要搅拌一起泡和表面成盐是同义的;

改进了盐水的透明度;

随着氯含量增至100PPm而使盐形态发生变化,更准确地说严重的漏斗形生长物或片状漏斗形生长物得以减弱-深的漏斗形生长物变成薄片漏斗状和双重面心立方体(Plane-faced    cubes);以及粘结晶体凝块物被连生物较少的易分离的晶体所代替。

正如前面所述,在每一特定的情况下,在所述改进的范围内向盐水中加入所需要量的氯气都必须经过测定。其量取决于所存在的有机物量。通常其范围是20~150PPm,更常用的是20~100ppm。

现在仅参照下列实例和附图来对本发明进行描述。

图1表示添加氯至各种指定的起始游离氯浓度对盐水粘度的影响。

图2表示由未处理的盐水在结晶池中的盐晶体生长物。

图3表示在结晶池中由用75ppm氯处理过的盐水晶体生长物(a)漏斗形生长物,(b)立方连生体。

图4是由未氯化的盐水制得的石盐晶体形态的示意图。

图5是由氯化的盐水制得的石盐晶体形态的示意图。

实例1(粘度)下面以图1中的曲线说明添加不同量的起始游离氯浓度从5到240ppm对盐水粘度(%SWE)的影响。所示这些结果是由三个空气脉动作用的小型实验性结晶器中得到的,而且它们和早先的实验室规模的结果相一致。

实例2(晶体形态、起泡、表面成盐)晶体形态方面的改进最易参照图2和图3得到说明。这些图说明的晶体是从蒸发四周后的实验结晶器的底部收集到的。

图2表示的是由未氯化盐水的晶体生长物(大小接近5mm)。夹带石膏(针状晶体)的片状生长物的两个实例得到了说明。盐场生长的盐呈现外延阶梯状和漏斗状生长物的典型晶体是十分明显的。从图2a中可以看出大多数晶体具有内部和外部的漏斗面,且难得显示出立方体形生长物。

图3表示在75ppm浓度氯化处理的盐水中晶体的生长(大约尺寸为5mm)。虽然漏斗形晶体仍然存在(图3a),但它们与一般的不同,而且并不呈现出片状漏斗形的生长。这些晶体经常是立方体的,而且几乎不含内表面(图3b)。

从用50ppm的氯化处理的盐水中,可以看到的晶体生长物表面与阶梯形表面相反是平坦的(尺寸大约为5mm)。虽然仍有一些阶梯式生长物存在,但各个晶体比由未处理的盐水长出的晶体要密实得多。

由经100ppm氯化处理的盐水中的晶体生长物(平均尺寸大约为3mm)只在很小的程度上出现阶梯、漏斗形生长物。大多数晶体都没有内表面,而且十分透明。

比较由0和100ppm氯化处理盐水的晶体生长物可发现由未氯化处理盐水长出的晶体是带有许多阶梯面的非完全立方体,而由氯化处理的盐水长出的晶体生长面几乎是平坦的,两者形成鲜明的对照。这两种生长物是各自盐水的典型代表实例。

在50和100ppm氯化的盐水实验结晶器中可以看到相当坚固的盐层。而在0和25ppm结晶器中有的则是相当疏松的盐,以及分散的一些尺寸可达30mm的晶体凝块物。在高浓度情况下氯化能产生坚固甚至结壳的盐,而且形成的2~3mm晶体易于分裂成独立的碎片,相互连续的晶体凝块物是不存在的。

氯化的盐水比未氯化的盐水起泡轻。

与50ppm氯化处理的槽相比,从不搅拌的槽中可以看出未处理盐水不同的表面成盐趋势。不论在什么时候,在未处理的盐水上总是飘浮着许多的表面盐,经常一大片一大片地复盖在整个表面上。对比处理过的盐水,很少有超过四分之一的表面被盐复盖。所产生的表面盐相对量未进行评价。

实例3取自澳大利亚西部Dampier的海水,其粘度为109%SWE。为便于比较在一盐场结晶池中分成两部分。盐水是接近于饱和的,一部分未处理,另一部分则用氯气处理而供给70ppm的起始游离氯。经处理后这部分的粘度降低到100%SWE。

未处理部分在作为卤水排放时其粘度增加到118%SWE。

结论在晶体形态中存在着由敞开漏斗形结构向立方体形转变。从而提高了盐的收获能力,增加了体积密度,改善了洗涤性能以及洗涤后的干燥性能。

这两种晶形由图4和图5所示出。图4表示的是由未氯化的盐水制得的石盐晶形。这些晶体即可有带阶梯状和如图4a所示的片状生长物(漏斗形生长物)、外延板状生长物(图4b)的棱锥形,又可有由于增生及盐水夹杂物(见图4C所示)产生的片状生长物的极端形式。相反,图5所示的由氯化处理的盐水制得的石盐晶体呈现出带有平面和阶梯面(图5a)的立方体,或在结晶面中带有阶梯漏斗生长物的立方体(图5b)。

应该清楚地理解到在一般情况下本发明并不局限于前面所述的具体细节。




































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脚注信息
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